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　　根据中国医学院北京协和医学院的网站介绍，方英现任北京脑科学与类脑研究所研究员，本科毕业于中国科学技术大学，2007 年于美国哈佛大学获得博士学位，毕业后继续在哈佛从事博士后研究，积累了国际前沿的微纳材料与神经科学交叉领域研究经验。她的主要研究方向为柔性脑机接口技术，发展了一系列具有自主知识产权的新型柔性神经电极技术。作为通讯作者，在Nature Nanotechnology，Nature Protocols，Science Advances, Nature Communications等期刊发表论文50余篇，文章被引用超过10000次。作为项目负责人，承担科技创新2030—“脑科学与类脑研究”重大项目“神经活动记录与调控新技术”。

　　上述挑战，源于侵入式脑机接口面临的共性难题——传统柔性电极的线性结构设计无法实现有效的力学拉伸形变。大脑植入电极后，随着人体活动，呼吸和心跳都会让脑组织时刻发生移动。传统线性电极无法与脑组织的移动同步，因此容易发生移位，甚至从脑组织中脱出的风险。电极脱出不仅会直接降低大脑神经信号采集的数量与解码精度，还可能会诱发大脑的炎症反应，并导致胶质斑痕。而胶质斑痕会导致电极周围神经元密度的降低，最终使电极失去信号采集能力。